출원번호 : **********56  (2002.11.25)
등록일자 : 2005.04.18
출원인 : 주식회사 실트론
IPC : C30B 15/00
초록 : 본 발명은 폴리 실리콘을 챔버 내부의 석영 도가니에 적재한 후, 용융시켜 실리콘 단결정 잉곳을 성장시키는 장치에 관한 것이다. 이를 위한 본 발명인 실리콘 단결정 잉곳의 성장 장치는 챔버와, 상기 챔버의 내부에 설치된 석영 도가니와, 상기 석영 도가니를 지지하는 흑연 도가니와, 상기 석영 도가니와 흑연 도가니를 지지 및 회전시키는 페데스탈과, 상기 챔버의 내부에서 열을 복사시키는 히터와, 상기 히터로부터의 열이 상기 챔버의 외부로 방출되는 것을 차단하는 열차폐막과, 상기 석영 도가니의 상부에 설치된 열쉴드와, 상기 챔버의 상부로 잉곳을 성장시키는 실리콘 단결정 잉곳 성장탑과, 상기 실리콘 단결정 잉곳 성장탑의 내부와 상기 챔버 내부의 상부에 설치된 수냉관을 포함하는 실리콘 단결정 잉곳의 성장 장치에 있어서, 상기 열쉴드의 내부 벽면에 고정 설치된 1차 석영 튜브와, 상기 챔버의 상부에는 튜브 관통구가 형성되고, 상기 챔버의 튜브 관통구에 분리 가능하도록 설치된 2차 석영 튜브를 포함하되, 상기 1차 석영 튜브 또는 2차 석영 튜브는 그 지름이 10 내지 50㎜로 형성된 것이 특징이다.